Компания SanDisk объявила о новинке — твердотельном накопителе SSD UltraQLC SN670 емкостью 256 ТБ, что является беспрецедентным достижением в ассортименте производителя и одним из крупнейших объёмов, когда-либо созданных для NVMe-накопителей. Этот инновационный продукт предназначен для обработки самых масштабных и ресурсоемких задач, таких как работа с искусственным интеллектом, аналитикой больших данных, гипермасштабируемыми корпоративными инфраструктурами и облачными системами. Потребность в таких устройствах обоснована стремлением повысить эффективность хранения данных при сохранении высокой скорости и надежности работы оборудования.
Накопитель основан на новой 218-слойной 3D NAND-памяти BiCS с кристаллами объёмом 2 ТБ, использующей технологию CBA (CMOS directly Bonded to Array). Такой комплекс технологий позволяет достичь высокой плотности данных и высокой скорости обработки. Подключение осуществляется через современный интерфейс PCIe Gen5 NVMe, что гарантирует значительное увеличение пропускной способности по сравнению с предыдущими поколениями. В рамках платформы SanDisk UltraQLC накопитель выделяется отсутствием классического кэша pseudo-SLC, что реализовано за счёт использования технологии Direct Write QLC, повышающей надежность и стабильность при электропитании и в условиях перебоев с электроснабжением. Хотя это решение усложняет процесс записи и немного сдерживает кратковременные пики производительности, оно существенно улучшает долговечность и энергоэффективность устройства.
Дальнейшие преимущества этого накопителя включают анонсированный компанией заметный рост скоростных характеристик: по внутренним тестам, ускорена работа с произвольными данными — скорости случайного чтения выросли более чем на 68%, а скорости записи — более чем на 55%. Последовательное чтение демонстрирует увеличение более чем на 7%, а последовательная запись — свыше 27%。Кроме того, за счет технологий Dynamic Frequency Scaling производительность при одинаковом энергопотреблении может увеличиваться до 10%. Важной особенностью является внедрение системы оптимизации Data Retention, которая позволяет снизить износ NAND-части примерно на 33%, что важно для обеспечения долговечности и надежности долгосрочной эксплуатации.
Несмотря на такие амбициозные заявления, отсутствуют официальные технические параметры — конкретные численные показатели скоростей чтения и записи в реальных условиях, а также показатели износостойкости и долговечности по стандартам, что затрудняет независимую оценку новинки. СанДиск уверяет, что использует собственные контроллер и прошивку, оптимизированные для снижения задержек и повышения пропускной способности, однако без сторонних бенчмарков эти утверждения остаются на уровне маркетинговых лозунгов. Исторически накопители на базе QLC NAND, выпускавшиеся компанией, демонстрировали определённые ограничения по сравнению с моделями на базе TLC NAND, что потенциально может сказаться и на данной модели.
На начальном этапе продаж новинка будет поставляться в форм-факторе U.2, который широко применяется в корпоративных подсистемах хранения данных и серверах высокого класса. В дальнейшем в 2026 году планируется расширение ассортимента за счёт появления других форм-факторов для более широкого применения. В целом, 256-терабайтный накопитель SanDisk SN670 — это в первую очередь демонстрация будущих возможностей хранения данных в инфраструктуре высокого уровня, а не массовое устройство для конечных потребителей. Его запуск подчеркивает сильные намерения компании укреплять позиции на рынке корпоративных решений, предлагая технологии, которые отвечают будущим требованиям рынка по объёму и скорости обработки данных.
Данный продукт открывает новые горизонты для специалистов по системам хранения, ИИ и анализа больших данных, ведь применение таких накопителей может значительно снизить задержки при работе с огромными объемами трафика и обеспечить более надежную эксплуатацию в сложных условиях эксплуатации. Но будущее покажет, насколько обещания производителя оправдают себя в реальных условиях эксплуатации, учитывая быстро меняющийся рынок высокопроизводительных накопителей и требований к их долговечности.
