Компания Samsung Electronics вновь вышла на рынок высокопроизводительных накопителей, объявив о возобновлении разработки своей технологии высокоскоростных Z-NAND накопителей после почти семилетнего перерыва. Это решение вызвано растущим потребностью в быстрых и энергоэффективных устройствах хранения данных, особенно в области искусственного интеллекта (ИИ), где скорости доступа и обработка больших объемов информации являются ключевыми факторами успеха. Новое поколение Z-NAND предназначено именно для таких задач, обещая значительно повысить эффективность работы современных систем.
По заявлению представителей Samsung, обновленная технология Z-NAND может достигать производительности, превышающей современные NVMe SSD примерно в 15 раз. Это открывает новые горизонты для центров обработки данных, облачных решений и мощных серверных платформ. Помимо рекордных скоростей, новые накопители предполагают уменьшение энергопотребления до 80% по сравнению с обычной флеш-памятью NAND. Такой прогресс позволяет снизить эксплуатационные расходы дата-центров и продвинуть развитие энергоэффективных решений, что особенно актуально в свете глобальных усилий по снижению углеродного следа.
Ключевым аспектом новых технологий станет внедрение поддержки механизма GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS). Благодаря этому графические процессоры смогут напрямую обращаться к данным на накопителе без участия центрального процессора и системной памяти. Такой подход существенно уменьшит задержки при доступе к данным, что особенно критично для высоконагруженных задач, связанных с моделированием, машинным обучением и обработкой больших данных, где скорость является решающим фактором. Использование передовых встройк памяти SLC V-NAND с уменьшенными по размеру страниц — до 2-4 КБ — ускоряет обработку малых блоков данных и повышает общую производительность системы.
Исторически технология Z-NAND была представлена как альтернатива Intel 3D XPoint, более известной под брендом Optane, занимая промежуточное положение по характеристикам между DRAM и традиционными NAND SSD. Однако развитие Optane было свернуто, что открыло возможность для новых решений на базе Z-NAND. Samsung видит свой шанс занять нишу, опираясь на растущий рынок искусственного интеллекта и необходимость в высокопроизводительных системах хранения данных. Новое направление развития позволяет компании не только укрепить свои позиции, но и стимулировать инновации в области технологий памяти, которые могут значительно изменить ландшафт хранения данных в ближайшем будущем.
Объявление о возобновлении разработки Z-NAND совпадает с глобальной тенденцией к созданию более быстрых, энергоэффективных и надежных решений для хранения информации. В условиях массового внедрения ИИ-решений, где скорость обработки данных играет ключевую роль, такие инновации позволяют значительно сократить время выполнения сложных вычислений, повысить общую производительность инфраструктуры и снизить затраты на электроэнергию.
Samsung продолжает инвестировать в исследования и разработки в области новых материалов и технологий памяти, стремясь создать решения, которые не только соответствуют самым высоким стандартам, но и задают новые тренды в индустрии. В результате мы можем ожидать появления новых массивов хранения с уникальными скоростными характеристиками, способных модернизировать существующие системы обработки данных и обеспечить поддержку будущих нагрузок.
Таким образом, возвращение к развитию высокотехнологичных накопителей Z-NAND свидетельствует о стратегическом стремлении Samsung укрепить свои позиции в сегменте решений для искусственного интеллекта, облачных платформ и дата-центров, открывая перед индустрией новые горизонты возможностей и технологического прогресса.
